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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.16 No.4
- 발행연도
- 2016.8
- 수록면
- 511 - 519 (9page)
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This paper proposes a CMOS 6-bit phase shifter with low RMS phase and amplitude errors for an X-band phased array antenna. The phase shifter combines a switched-path topology for coarse phase states and a switch-filter topology for fine phase states. The coarse phase shifter is composed of phase shifting elements, single-pole double-throw (SPDT), and double-pole double-throw (DPDT) switches. The fine phase shifter uses a switched LC filter. The phase coverage is 354.35° with an LSB of 5.625°. The RMS phase error is ＜ 6° and the RMS amplitude error is ＜ 0.45 ㏈ at 8–12 GHz. The measured insertion loss is ＜ 15 ㏈, and the return losses for input and output are ＞ 13 ㏈ at 8–12 ㎓. The input P1dB of the phase shifter achieves > 11 ㏈m at 8–12 ㎓. The current consumption is zero with a 1.2-V supply voltage. The chip size is 1.46´0.83 ㎟, including pads.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. DESIGN OF X-BAND 6-BIT PHASE SHIFTER
Ⅲ. EXPERIMENT RESULTS
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES
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