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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.6
- 수록면
- 164 - 170 (7page)
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본 논문에서는 기존 LIGBT의 컬렉터와 에미터 사이에 추가적으로 에미터를 형성한 이중-에미터 구조의 LIGBT를 제안한다. 이중-에미터 LIGBT 구조는 추가된 에미터에 의해 향상된 래치-업 전류밀도, 순방향 전압강하와 빠른 턴-온 시간을 갖는다. 시뮬레이션 결과 이중-에미터 LIGBT 구조는 기존 LIGBT 구조보다 향상된 순방향 전압강하(1.05V), 높은 래치-업 전류(), 빠른 턴-온 시간(7.4us)을 가짐을 확인 한다.
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1. [학술대회논문] - B. J. Baliga / 1996 / Power Semiconductor Device / PWS Pubishing Company : 446 ~ 455
2. [단행본] - T.K Khanna / 2003 / The Insulated Gate Bipolar Transistor Theory and Design / Wiley & Sons
3. [학술지(정기간행물)] - T. Trajkovic / 1999 / Silicon MOS Controlled Bipolar Power Switching Devices Using Trench Technology / Int. J. electronics 86 (10) : 1153 ~ 1168
4. [학술지(정기간행물)] - 강이구, / 2000 / 트랩 주입의 구조적 설계에 따른 LIGBT의 전기적 특성 개선에 관한 연구 / 대한전기학회, 전기학회 논문지 C 49C (8) : 463 ~ 467
5. [학술지(정기간행물)] - H. Yamaguchi / 1995 / Intelligent Power IC with Partial SOI Structure / Jpn. J. Appl. Phys 34 (2B) : 1497 ~ 1502
2. [단행본] - T.K Khanna / 2003 / The Insulated Gate Bipolar Transistor Theory and Design / Wiley & Sons
3. [학술지(정기간행물)] - T. Trajkovic / 1999 / Silicon MOS Controlled Bipolar Power Switching Devices Using Trench Technology / Int. J. electronics 86 (10) : 1153 ~ 1168
4. [학술지(정기간행물)] - 강이구, / 2000 / 트랩 주입의 구조적 설계에 따른 LIGBT의 전기적 특성 개선에 관한 연구 / 대한전기학회, 전기학회 논문지 C 49C (8) : 463 ~ 467
5. [학술지(정기간행물)] - H. Yamaguchi / 1995 / Intelligent Power IC with Partial SOI Structure / Jpn. J. Appl. Phys 34 (2B) : 1497 ~ 1502
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