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논문 기본 정보

저자정보
(Sogang University) (Sogang University) (SK Hynix) (SK Hynix) (SK Hynix) (Sogang University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.16 No.5
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    The influence of electron and hole (EH) distribution on two-transistor (2T) silicon-oxide-nitride- oxide-silicon (SONOS) embedded nonvolatile memory (eNVM) is investigated in terms of reliability. As PE (program/erase) cycles are repeated, it is observed that the electron distribution in the nitride layer becomes wider. It leads to the EH distribution mismatch, which degrades the reliability of 2T SONOS eNVM.
    #2T SONOS #eNVM #mismatch #reliability

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