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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.11
- 수록면
- 106 - 109 (4page)
이용수
초록· 키워드
In these days, active efforts are made for advanced dynamic random-access memory (DRAM) without the bulky capacitor by introducing novel-structure DRAMs including 1-transistor (1T) DRAM, zero-capacitor DRAM (ZRAM), and thyristor-based DRAM (TRAM). TRAMs have been studied in the device structure having three or four terminals but the fabrication process is quite complicated, scalability is not easily warranted, and vertical structuring/stacking is quite challenging. From this point of view, 2-terminal (2-T) TRAM without control gates is proposed in this work, and its operation principle is closely investigated. In particular, it is proven that the proposed device does not rely on impact ionization which might cause reliability issue, as the 2-T TRAM device is scaled down. Further, the allowed windows for writing time and program voltage are found by simulations.
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목차
- Abstract
- I. 서론
- II. 본론
- III. 결론 및 향후 연구
- 참고문헌
참고문헌
참고문헌 신청최근 본 자료
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