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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.11
- 수록면
- 133 - 136 (4page)
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In these days, optical devices on Si have been attracting a great deal of interests for high-speed low-power on-chip communication overcoming the RC delay and heat dissipation in the conventional metallic interconnect system. Tensile-strained Ge is one of the candidates for base materials realizing the optical source on Si, with its relatively strong Si compatibility. However, the process integration for strain engineering can be quite complicated. If external mechanical force for tensile strain is replaced by internal force induced by atomic arrange, the process architecture can be significantly simplified and the device scalability is also expected to be improved. In this work, Ge<SUB>1-x</SUB>Sn<SUB>x</SUB> is studied by ab initio simulation and the location of indirect-to-direct bandgap transition is traced. For higher accuracy and reality, modified Becke-Johnson exchange potential model is embedded in the simulation. It is found that the optical bandgap reduction with increasing Sn fraction shows a relatively larger gradient than that of electrical bandgap, compared with the case without the advanced model and the transition point has been located to be 7.5%.
목차
Abstract
I. 서론
II. 본론
III. 결론 및 향후 연구
참고문헌
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