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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.6
- 수록면
- 435 - 443 (9page)
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본 논문에서는 cascode 구조가 적용된 Class-E 스위칭 모드 CMOS 전력증폭기의 common-gate 트랜지스터 게이트 바이어스 효과에 대해 분석하였다. 게이트 바이어스 효과를 확인하기 위해서 전력증폭기의 DC 전력소모, 효율을 분석하였다. 분석 결과를 통해서 전력증폭기의 최고 효율을 보여주는 common-gate 트랜지스터의 게이트 바이어스가 일반적으로 사용하는 전력증폭기 전원 전압보다 낮음을 확인하였다. 트랜지스터의 게이트 바이어스가 계속 감소함에 따라 on-저항을 확인하여 커지고, 이에 따라 출력, 효율이 감소하는 것도 확인하였다. 이 두 가지 현상을 통해 게이트 바이어스가 스위칭모드 전력증폭기에 미치는 영향을 분석하였다. 이 분석을 증명하기 위해서 0.18 ㎛ RF CMOS 공정으로 1.9 ㎓ 스위칭모드 전력증폭기를 설계하였다. 앞에서 설명한 것처럼 전력증폭기의 최대 효율은 전력증폭기의 인가 전압(3.3 V)보다 낮은 2.5 V에서 확인할 수 있었다. 이 때 최고 출력은 29.1 ㏈m, 최고 효율은 31.5 %이다. 측정 결과를 통해서 스위칭모드 전력증폭기 common-gate 트랜지스터의 게이트 바이어스 효과를 실험적으로 확인하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. Cascode 구조의 트랜지스터 동작
Ⅲ. Cascode 구조의 Common-Gate 트랜지스터 바이어스 분석
Ⅳ. 실험 결과
Ⅴ. 결론
References
참고문헌 (11)
참고문헌 신청
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