상용 PCB 공정을 이용한 RF MEMS 스위치와 DC-DC 컨버터의 이종 통합에 관한 연구

장연수; 양우진; 전국진

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자료유형: 학술저널

저자정보: 장연수 (SK 하이닉스) 양우진 (서울대학교) 전국진 (서울대학교)

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제54권 제6호 (통권 제475호)

발행연도: 2017.6

수록면: 25 - 29 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

2017

상용 PCB 공정을 이용한 RF MEMS 스위치와 DC-DC 컨버터의 이종 통합에 관한 연구

장연수 , 양우진 , 전국진 전자공학회논문지 2017.06 학술저널

RF MEMS 스위치와 CMOS DC-DC 컨버터의 이종 통합에 관한 연구

장연수 전기·컴퓨터공학부 2017.01 학위논문

2009

정전 용량형 SP4T RF MEMS 스위치 구동용 4채널 승압 DC-DC 컨버터

장연수 , 김현철 , 김수환 외 1명 전자공학회논문지-SD 2009.02 학술저널

2008

SP4T RF MEMS 스위치 구동용 4채널 승압 DC-DC 컨버터 시스템

장연수 , 김현철 , 전국진 대한전자공학회 학술대회 2008.11 학술대회자료

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본 논문에서는 듀로이드와 FR4를 기판으로 하는 재배선층 위에 정전 구동 방식의 RF MEMS 스위치와 승압 DC-DC 컨버터를 결합하는 연구를 진행하였다. 상용 PCB(Printed Circuit Board) 공정으로 듀로이드와 GCPW 전송 선로 조합의 재배선층과 FR4와 CPW 전송 선로 조합의 재배선층을 제작하였다. 상용 PCB 공정 특성에 의하여 전송 선로의 특성 임피던스는 56옴, 59옴 이었으며 이에 대하여 비교 분석하였다. 듀로이드 기판은 유전상수가 작고 두께가 얇으며 GCPW를 적용하였기 때문에 상대적으로 유전상수가 크고 두께가 두꺼우며 CPW 전송 선로를 적용한 FR4 기판보다 6GHz 대역에서 삽입 손실은 약 2.08dB, 반사 손실은 약 3.91dB, 신호 분리도는 약 3.33dB 우수한 것을 확인하였다.

#hetero-integration #redistribution layer #RF MEMS switch #DC-DC converter #flipchip bonding

참고문헌 (6)

참고문헌 신청

Rebeiz G M and Muldavin J B, “RF MEMS switches and switch circuits”, IEEE Mircrow. Mag. 2, pp. 59-71, 2001. Yeonsu Jang, et al., “An RF MEMS switch with a differential gap between electrodes for high isolation and low voltage operation”, Journal of Micromechanics and Microengineering, Vol. 21, No. 7, pp. 075016, 2011 Nasser Kurd, et al, “Haswell: A Family of IA 22nm Processors”, ISSCC 2014, pp. 112-114, 2014. Bok Eng Cheah, et al, “Crosstalk Study of High Speed On-Package interconnects for Multi-Chip Package”, Electromagnetic Compatibility(EMC), 2014 IEEE International Symposium on, pp. 381-385, 2014. Yeonsu Jang, et al., “Four Channel Step Up DC-DC Converter for Capacitive SP4T RF MEMS Switch Application”, IEEK Journals SD (Semiconductor & Device), pp. 93-100, 2009.

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