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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.10
- 수록면
- 1,042 - 1,046 (5page)
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본 연구에서는 제 3의 화학 원소 첨가에 의한 코발트 실리사이드와 니켈 실리사이드의 열적 안정성 향상 메카니즘을 조사하였다. 즉， Co-Si 시스템에 텅스텐을 첨가하는 경우 CoSi의 heat of formation이 증가하는 것으로 관찰 되었다. 이러한 증가는 시스템 에너지 감속 속도의 최대화로 대변되는 실리사이드 형성 kinetics가 선호하는 glass의 형성을 억제하는 것으로 밝혀졌다. 이 경우 CoSi와 실리콘 기판 사이의 계면에 형성되는 다결정 구조는 glass의 self-diffusion보다 확산계수가 훨씬 작아 상 변이를 위해서는 보다 높은 열에너지를 요구하게 되어 궁극적으로 CoSi의 열적 안정성이 향상되는 것을 알 수 있었다.
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1. [학술지(정기간행물)] - A. Alberti / 2007 / Nucleation and growth of NiSi from Ni2Si transrotational domains / Appl. Phys. Lett 90 (5) : 53507 ~ 53509
2. [학술지(정기간행물)] - M. A. Gribelyuk / 2007 / Interfacial microstructure of NiSix/HfO2/SiOx/Si gate stacks / Thin Sol. Films 515 (13) : 5308 ~ 5313
3. [학술지(정기간행물)] - K. Hoummada / 2006 / First stages of the formation of Ni silicide by atom probe tomography / Appl. Phys. Lett. 89 (13) : 18195 ~ 18197
4. [학술지(정기간행물)] - F. Nemouchi / 2005 / Differential scanning calorimetry analysis of the linear parabolic growth of nanometric Ni silicide thin films on a Si substrate / Appl. Phys. Lett 86 (4) : 41903 ~ 41905
5. [학술지(정기간행물)] - W. Huang / 2006 / The improvement of thermal stability of nickel silicide by adding a thin Zr interlayer / Microelect. Engr 83 (2) : 345 ~ 350
2. [학술지(정기간행물)] - M. A. Gribelyuk / 2007 / Interfacial microstructure of NiSix/HfO2/SiOx/Si gate stacks / Thin Sol. Films 515 (13) : 5308 ~ 5313
3. [학술지(정기간행물)] - K. Hoummada / 2006 / First stages of the formation of Ni silicide by atom probe tomography / Appl. Phys. Lett. 89 (13) : 18195 ~ 18197
4. [학술지(정기간행물)] - F. Nemouchi / 2005 / Differential scanning calorimetry analysis of the linear parabolic growth of nanometric Ni silicide thin films on a Si substrate / Appl. Phys. Lett 86 (4) : 41903 ~ 41905
5. [학술지(정기간행물)] - W. Huang / 2006 / The improvement of thermal stability of nickel silicide by adding a thin Zr interlayer / Microelect. Engr 83 (2) : 345 ~ 350
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