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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.12
- 수록면
- 3,626 - 3,631 (6page)
이용수
초록· 키워드
본 논문에서는 아날로그 회로에 사용되는 NMOSFET에 대한 Hot-Carrier 열화특성을 조사하였다. 여러 값을 갖는 게이트 전압으로 스트레스를 인가한 후, 소자의 파라미터 열화를 포화 영역에서 측정하였다. 스트레스 게이트 전압의 범위에 따라 계면 상태(interface state) 뿐 아니라 전자와 정공의 포획이 드레인 근처 게이트 산화막에서 확인 되었다. 그리고 특히 낮은 게이트 전압의 포화영역에서는 정공의 포획이 많이 발생하였다. 이러한 전하들의 포획은 전달 컨덕턴스 (gm) 및 출력 컨덕턴스 (gds)의 열화의 원인이 된다. 아날로그 동작 범위의 소자에서 파라미터 열화는 소자의 채널 길이에 매우 민감하게 반응한다. 채널길이가 짧을수록 정공 포획이 채널 전도도에 미치는 영향이 증가하 게 되어 열화가 증가되었다. 이와 같이 아날로그 동작 조건 및 아날로그 소자의 구조에 따라 gm 및 gds의 변화가 발 생하므로 원하는 전압 이득(AV=gm/gds)을 얻기 위해서는 회로 설계시 이러한 요소들에 대한 고려가 필요하다.
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