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한국산학기술학회 한국산학기술학회 논문지 한국산학기술학회논문지 제16권 제12호
발행연도
2015.12
수록면
8,643 - 8,648 (6page)

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본 논문은 Ka대역 위성통신 탑재체의 하향링크대역인 주파수 19.5 GHz ∼ 22 GHz대역에서 사용가능한 8W급 전력증 폭기를 3단으로 설계 및 제작하여 특성 평가한 과정을 기술하였다. 제작된 전력증폭기 GaN MMIC는 3단으로 구성된 HEMT(High Electron Mobility Transistor)들로 이루어 졌으며 증폭기의 첫 번째단 게이트 폭은 8×50×2 um, 두 번째단 게이트 폭은 8×50×4 um, 마지막단인 출력단의 게이트 폭은 8×50×8 um의 구조로 이루어 졌다. 0.15 um GaN 공정으로 제작된 전력 증폭기 MMIC의 사이즈는 3,400×3,200 um2 이고 주파수 19.5 GHz ∼ 22 GHz대역에서 입력 전압 20 V 일 때, 소신호 및 대신 호 측정 결과 소신호 이득 29.6 dB 이상, 입력정합 최소 -8.2 dB, 출력정합 - 9.7 dB, 최소 39.1 dBm의 출력전력, 최소 25.3 %의 전력 부가 효율을 나타내었다. 따라서 설계 및 제작된 전력증폭기 MMIC는 Ka대역 위성통신 탑재체의 하향링크에 사용이 가능할 것으로 판단된다.

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