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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.17 No.5
- 발행연도
- 2017.10
- 수록면
- 621 - 626 (6page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2017.17.5.621
이용수
초록· 키워드
In this paper, a low-power sub-1V bandgap voltage reference(sub-BGR) without any resistors and BJTs is presented. To reduce process variations without bipolar junction transistors(BJTs), a weighted Vgs structure is modified with a body bias for the generation of both complementary-to-absolutetemperature(CTAT) voltage and proportional-toabsolute-temperature(PTAT) voltage. Moreover, the proposed sub-BGR is operated in subthreshold region to minimize the power consumption. The proposed sub-BGR is implemented with a 0.18 μm deep N-well (DNW) CMOS technology. The measured results show that the temperature variation of 55ppm/°C is obtained with a temperature range from -40°C to 80°C. The power supply rejection ratio(PSRR) of -44 dB at 100 Hz is achieved while consuming total power of 38 nW at the supply voltage of 0.8 V. Measured output reference voltage is 435 mV and the active area is 150 μm by 49 μm.
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목차
- Abstract
- I. INTRODUCTION
- II. PROPOSED DESIGN
- III. SIMULATION AND MEASUREMENT RESULTS
- IV. CONCLUSIONS
- REFERENCES
참고문헌
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