채널 길이의 변화에 따른 단일 게이트 피드백 전계효과 트랜지스터의 메모리 윈도우 특성

조진선; 김민석; 우솔아; 강현구; 김상식

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저자정보: 조진선 (Korea University) 김민석 (Korea University) 우솔아 (Korea University) 강현구 (Korea University) 김상식 (Korea University)

저널정보: 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제21권 제3호

발행연도: 2017.9

수록면: 284 - 287 (4page)

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본 연구에서는 3차원 소자 시뮬레이션을 통하여 단일 게이트 피드백 전계효과 트랜지스터의 전기적 특성과 채널 길이에 따른 메모리 윈도우 특성 변화를 확인하였다. 소자의 채널 길이는 50 nm에서 100 nm까지 변화시켜가며 시뮬레이션을 수행하였다. 시뮬레이션 결과 0에 가까운 문턱전압이하 기울기(< 1 mV/dec)와 ∼1.27×1010의 I<SUB>on</SUB>/I<SUB>off</SUB> 비율을 얻었다. 또한 메모리 윈도우를 확인한 결과 채널 길이 50 nm의 소자는 0.31 V의 메모리 윈도우가 생성되었으나 채널 길이 100 nm의 소자는 메모리 윈도우가 생성되지 않았다.

#Feedback field-effect transistors #memory window #trigger voltage #channel length #simulation

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[학술지(정기간행물)] - Scott E. Thompson / 2006 / Moore's law: the future of Si microelectronics / Materials Today 9 (6) : 20 ~ 25

[학술지(정기간행물)] - Ionescu, Adrian M. / 2011 / Tunnel field-effect transistors as energy-efficient electronic switches / nature 479 (7373) : 329 ~ 337

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[학술대회논문] - Padilla, Alvaro / 2008 / Feedback FET: A novel transistor exhibiting steep switching behavior at low bias voltages / Electron Devices Meeting, 2008. IEDM 2008. IEEE International

[학술지(정기간행물)] - Kim, Minsuk / 2016 / Steep switching characteristics of single-gated feedback field-effect transistors / Nanotechnology 28 (5) : 055205 ~

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