무접합 비정질 InGaZnO 박막 트랜지스터의 게이트 산화층 항복 특성

장유진; 서진형; 박종태

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저자정보: 장유진 (Incheon National University) 서진형 (Incheon National University) 박종태 (Incheon National University)

저널정보: 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제22권 제1호

발행연도: 2018.1

수록면: 117 - 124 (8page)

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박막 두께가 다른 무접합 비정질 InGaZnO 막막 트랜지스터를 제작하고 박막 두께, 동작 온도 및 빛의 세기에 따른 소자의 성능 변수를 추출하고 게이트 산화층 항복전압을 분석하였다. 박막의 두께가 클수록 소자의 성능이 우수하나 드레인 전류의 증가로 게이트 산화층 항복전압은 감소하였다. 고온에서도 소자의 성능은 개선되었으나 게이트 산화층 항복 전압은 감소하였다. 빛의 세기가 증가할수록 광자에 의해 생성된 전자로 드레인 전류는 증가 하였으나 역시 게이트 산화층 항복전압은 감소하였다. 박의 두께가 클수록, 고온일수록, 빛의 세기가 강할수록 채널의 전자수가 증가하여 산화층으로 많이 주입되었기 때문이다. 무접합 a-IGZO 트랜지스터를 BEOL 트랜지스터로 사용하기 위해서는 박막 두께 및 동작 온도를 고려해서 산화층 두께를 설정해야 됨을 알 수 있었다.

#InGaZnO 박막 트랜지스터 #무접합 트랜지스터 #게이트 산화층 항복 전압 #박막 두께 #InGaZnO thin film transistor #Junctionless transistor #Gate oxide breakdown voltage #Thin film thickness

참고문헌 (21)

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[학술지(정기간행물)] - T. Y. Hsieh / 2014 / Review of Present Reliability Challenges in Amorphous In-Ga-Zn-O Thin Film Transistors / ECS Journal of Solid State Science and Technology 3 (9) : Q3058 ~ Q3070

[학술지(정기간행물)] - T. Onuki / 2017 / Embeded memory and ARM cortex-M0 core using 60nm C-axis aligned crystalline Indium-Gallium_Zinc Oxide FET integrated with 65nm Si CMOS / IEEE Journal of SolidState Circuits 52 (4) : 925 ~ 932

[학술지(정기간행물)] - K. Hatasako / 2014 / Past and future technology for Mixed signal LSI / IEICE Transaction Electron E97-C (4) : 238 ~ 244

[학술지(정기간행물)] - L.J.Chi / 2016 / 1-V full swing depletion load a-In-Ga-Zn-O inverters for back- end-of-line compatible 3D integration / IEEE Electron Device Letters 37 (4) : 441 ~ 443

[학술대회논문] - K. Kaneko / 2012 / Operation of functional circuit elements using BEOL transistor with InGaZnO channel for on-chip high/low voltage bridging I/O and high current switches / Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers : 123 ~ 124

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