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초록·키워드
Recently, the use of IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) has been rapidly increasing as the eco-friendly semiconductor technology has been developed for green growth. IGBTs have advantages of high-speed switching and power loss minimization at high voltage and current. However, the high heat generation of IGBTs frequently causes the reliability problem. The high temperatures of IGBTs result in heat and mechanical stresses, which can introduce cracks and fractures. Therefore, it is important to predict the lifetime to guarantee the reliability of an IGBT module. The conventional lifetime prediction method of the IGBT module is complex and has time-consuming computations. In this paper, we introduce a convenient IGBT lifetime prediction method to reduce the computational time by simplifying the lifetime prediction processes of the IGBT module.
본문·목차
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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2018-003-003116829
