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Chalcogenide and oxide heterostructures have been studied as a next-generation electronic materials, due to their interesting electronic properties, such as direct bandgap semiconductor, ferroelectricity, ferromagnetism, superconductivity, charge-density waves, and metal-insulator transition, and their modification near heterointerfaces, so called, electronic reconstruction. An angleresolved photoemission spectroscopy (ARPES) is a powerful technique to unveil such novel electronic phases in detail, especially combined with high quality thin film preparation methods, such as, molecular beam epitaxy and pulsed laser deposition. In this article, the recent ARPES results in chalcogenide and oxide thin films will be introduced.
목차
서론
1. 표면 전자구조 연구
2. 각도분해능 광전자분광법(ARPES)과 방사광가속기의 제자리 합성장치
3. 제자리 박막 합성장치 소개
4. 칼코겐화물 이종구조 연구결과 소개
5. 산화물 이종구조의 연구결과 소개
6. 전망과 과제
7. 결론
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