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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.12
- 수록면
- 47 - 52 (6page)
- DOI
- 10.5573/ieie.2018.55.12.47
이용수
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Body contact(BCT)된 high resistivity(HR) partially depleted(PD) silicon-on-insulator(SOI) nMOSFET의 새로운 empirical kink 효과 모델을 연구하였다. 먼저, kink 효과가 없는 I-V 측정 영역을 empirical 방정식을 통해 모델링함으로써 kink 효과가 있는 전류 영역에서 kink가 없는 non-kink I-V 곡선을 정확히 추출하였다. 이로부터 얻은 non-kink 전류와 측정 데이터의 차를 통해 kink 전류를 추출하고, 새로운 전압 종속 empirical 방정식을 curve-fitting하여 kink 전류 모델을 구축하였다. 0.25μm BCT HR PD-SOI nMOSFET의 측정 DC I-V 데이터와 모델 곡선이 0 - 2.5V 구간에서 매우 잘 일치함을 확인하여 empirical 모델의 정확성을 검증하였다.
목차
요약
Abstract
I. 서론
Ⅱ. Kink 전류 추출
Ⅲ. 전압 종속 모델링
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (21)
참고문헌 신청
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