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Jiangui Chen (Beijing Jiaotong University) Yan Li (Beijing Jiaotong University) Mei Liang (Cooperate research Center) R.Kennel (Technical University of Munich) Jiayu Liu (Beijing Jiaotong University) Haobo Guo (Beijing Jiaotong University)
저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 ICPE 2019-ECCE Asia
발행연도
2019.5
수록면
147 - 153 (7page)

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SiC MOSFET has faster switching speed, lower RDS(on), and higher breakdown voltage when compared with Si MOSFET. Therefore, SiC MOSFET can work at work at higher frequencies, even Mhz. However, the overvoltage and overcurrent (OVOC) of SiC MOSFET become more serious with the increase of frequency due to the low damping and the parasitic parameters in the actual circuit. The causes of overcurrent and overvoltage of SiC MOSFET are analyzed in this paper, and a gate driver with the variable gate resistance and the variable driving voltage and is proposed to suppress OVOC of SiC MOSFET. This paper analyzes the working mode of the proposed gate driver (PGD).The PGD can effectively suppress the OVOC of SiC MOSFET. Finally, the effectiveness of the PGD is verified based on a doublepulse test platform.
#SiC MOSFET #Overvoltage #Overcurrent #Switching loss #Gate driver

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. OVERVOLTAGE AND OVERCURRENT OF SIC MOSFET
III. PROPOSED GATE DRIVING CIRCUIT
IV. EXPERIMENTAL VERIFICATION
V. CONCLUSIONS
REFERENCES

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