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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.1
- 수록면
- 135 - 139 (5page)
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단결정 ingot 성장기술 중 하나인 traveling heater method(THM) 기술을 이용하여 n형 열전소재인 Bi2Te3-Bi2Se3 고용체화합물을 성장하였다. 고용체 화합물내 CdCl2와 SbI3을 첨가하여 dopant의 영향을 확인하였고 각각의 dopant의 최적의 첨가량[CdCl2 0.1 wt%(Z: 2.73 × 10−3 /K), SbI3 0.05 wt%(Z: 2.29 × 10−3 /K)]을 확인하였다. THM 기술을 통해 성장된 ingot 의 각 부위별 열전특성을 확인해 본 결과 주요 인자들의 표준편차가 낮은 매우 균질화된 특성을 보였다. 또한 Bi2Te3-Bi2Se3 고용체화합물의 비등방성 지수와 dopant와의 관계를 확인하기 위하여 90(Bi2Te3)10(Bi2Se3) 조성의 고용체화합물에 donor dopant로서 CdCl2(0.05~0.1 wt%)을 첨가하여 dopant의 증가에 따른 비등방성 지수의 변화를 확인해본 결과 dopant가 증가함에 따라 비등방성 지수가 변하는 것을 확인하였고 이러한 비등방성 지수의 변화가 실제 열전성능에 크게 영향을 미치는것을 확인하였다.
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D.B. Hyun / 1998 / Electrical properties of the 85%Bi2Te3-15%Bi2Se3 thermoelectric material doped with SbI3and CuBr / J. Phys. Chem. Solids 59 : 1039 ~
D.L. Greenaway / 1965 / Band structure of bismuth telluride, bismuth selenide and their respective alloys / J. Phys. Chem. Solids 26 : 1585 ~
H. Julian Goldsmid / 2009 / Introduction to Thermoelectricity / Springer : 1 ~
I.G. Austin / 1958 / The optical properties of bismuth telluride / Proc. Phys. Soc 72 : 545 ~
J. Seo / 1997 / Thermoelectric properties of hot-pressed n-type Bi2Te2.85Se0.15 compounds doped with SbI3 / Mater. Sci. Eng B 49 : 247 ~
D.L. Greenaway / 1965 / Band structure of bismuth telluride, bismuth selenide and their respective alloys / J. Phys. Chem. Solids 26 : 1585 ~
H. Julian Goldsmid / 2009 / Introduction to Thermoelectricity / Springer : 1 ~
I.G. Austin / 1958 / The optical properties of bismuth telluride / Proc. Phys. Soc 72 : 545 ~
J. Seo / 1997 / Thermoelectric properties of hot-pressed n-type Bi2Te2.85Se0.15 compounds doped with SbI3 / Mater. Sci. Eng B 49 : 247 ~
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