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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.1
- 수록면
- 135 - 139 (5page)
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수소화기상증착에피탁시로 성장된 GaN 단결정의 표면 특성을 정밀하게 측정하기 위해, 용융 KOH/NaOH 습식화학에칭법을 적용하였다. KOH/NaOH 습식화학에칭법에 에칭속도는 기존의 황산, 인산과 같은 etchant에 비해 느린데, 이는 불용성 코팅층의 형성에 의한 것이다. 따라서 이 방법으로 etch pits density를 더 효율적으로 평가할 수 있었다. 성장된GaN 단결정을 XRD(X-Ray Diffraction), XRC(X-ray rocking curve)로 결정성을 분석하였으며, 에칭 특성과 표면 형상은 주자전자현미경을 이용하여 관찰하였다. 에칭 실험 결과 격자결함들이 독립적으로 잘 분리되어 있고 그들의 형태가 명확하게나타나는 최적 에칭 조건은 410oC, 25분이었다. 이 조건에서 얻은 결함밀도 값은 2.45 × 106cm−2이었으며, 이는 상업적으로이용 가능 한 정도의 재료임을 확인할 수 있었다.
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참고문헌 (23)
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A. Sakai / 1998 / Microstructureof GaN films on GaAs(100) substrates grownby hydride vapor-phase epitaxy / J. Crystal Growth 183 : 49 ~
B. Heying / 1999 / Dislocation mediated surfacemorphology of GaN / J. Appl. Phys 85 : 6470 ~
C.C. Kao / 2011 / Enhancedluminescence of GaN-based light-emitting diodes byselective wet etching of GaN/sapphire interface usingdirect heteroepitaxy laterally overgrowth te
D. Ehrentraut / 2009 / Advances in bulk crystalgrowth of AlN and GaN / MRS Bull 34 : 259 ~
D. Peng / 2009 / Effects of surface treatmentfor sapphire substrate on gallium nitride films / J. Alloys Compd 476 : 629 ~
B. Heying / 1999 / Dislocation mediated surfacemorphology of GaN / J. Appl. Phys 85 : 6470 ~
C.C. Kao / 2011 / Enhancedluminescence of GaN-based light-emitting diodes byselective wet etching of GaN/sapphire interface usingdirect heteroepitaxy laterally overgrowth te
D. Ehrentraut / 2009 / Advances in bulk crystalgrowth of AlN and GaN / MRS Bull 34 : 259 ~
D. Peng / 2009 / Effects of surface treatmentfor sapphire substrate on gallium nitride films / J. Alloys Compd 476 : 629 ~
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