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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.1
- 수록면
- 261 - 264 (4page)
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본 연구에서는 HVPE법으로 사파이어 기판(0001) 위에 성장시킨 GaN epilayer의 etching에 따른 표면변화 특성을 조사하였다. 주사전자 현미경(SEM) 관찰 결과, 3가지 형태를 갖는 육각형 모양의 etch pit(edge, screw, mixed) 들이 GaN epilayer의 두께 변화에 따라서 형성되었다. 이러한 관통전위들은(TDs) epilayer의 두께가 얇고, etch pit density가 높을수록screw and mixed type TDs이 많이 관찰되었고, 두께가 증가할수록 etch pit density가 낮아지면서 edge and mixed type TDs 들이 주로 존재하는 것을 관찰 할 수 있었다.
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참고문헌 (11)
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A. Vennemann / 2003 / TEM investigation of defect reduction and etch pit formation in GaN / Mat. Res. Soc. Symp. Proc 798
C.B. Vartuli / 1997 / Wet chemical etching survey of III-nitrides solid-state electron 41 : 1947 ~
D.A. Stocker / 1998 / Crystallographic wet chemical etching of GaN / Appl. Phys. Lett 73 : 2654 ~
H. Morkoc / 1994 / Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies / J. Appl. Phys 76 : 1363 ~
K.J. Hiojima / 2000 / Atomic force microscopy and transmission electron microscopy observations of KOH-etched GaN surfaces / Vac. Sci. Technol. B 18 : 37 ~
C.B. Vartuli / 1997 / Wet chemical etching survey of III-nitrides solid-state electron 41 : 1947 ~
D.A. Stocker / 1998 / Crystallographic wet chemical etching of GaN / Appl. Phys. Lett 73 : 2654 ~
H. Morkoc / 1994 / Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies / J. Appl. Phys 76 : 1363 ~
K.J. Hiojima / 2000 / Atomic force microscopy and transmission electron microscopy observations of KOH-etched GaN surfaces / Vac. Sci. Technol. B 18 : 37 ~
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