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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.1
- 수록면
- 279 - 282 (4page)
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최근 관심이 높아지고 있는 GaN, SiC 단결정과 함께 자외선 LED 및 전력 반도체 용 기판 소재로서 응용성이높은 질화갈륨(AlN, Aluminum Nitride) 단결정을 성장하였다. 아직 상용화된 AlN 기판은 없지만, 단결정 성장에 대한 연구가 이루어지고 있다. 본 연구에서는 국내 최초로 AlN 단결정의 성장 결과 직경 약 8 mm의 결정을 성장하였다. 성장된 단결정은 광학현미경으로 관찰하였으며, DCXRD를 통하여 결정성을 평가한 결과를 보고하고자 한다.
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참고문헌 (6)
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E.N. Mokhov / 2005 / Sublimation growth of AlN bulk crystals in Ta crucibles / J. of Crystal Growth 281 : 93 ~
P. Lua / 2008 / Seeded growth of AlN on SiC substrates and defect characterization / J. of Crystal Growth 310 : 2464 ~
S.M. Kang / 1999 / Step growth and defects formation on growth interface for SiC sublimation growth / J. Korean Cryst. Growth Cryst. Technol 9 : 558 ~
S.M. Kang / 2001 / The study on the formation of growth steps in the sublimation growth of SiC single crystals / J. Korean Cryst. Growth Cryst. Technol 11 : 1 ~
강승민 / 2008 / Growth of AlN crystals by the sublimation process / 한국결정성장학회지 18 (2) : 68 ~ 71
P. Lua / 2008 / Seeded growth of AlN on SiC substrates and defect characterization / J. of Crystal Growth 310 : 2464 ~
S.M. Kang / 1999 / Step growth and defects formation on growth interface for SiC sublimation growth / J. Korean Cryst. Growth Cryst. Technol 9 : 558 ~
S.M. Kang / 2001 / The study on the formation of growth steps in the sublimation growth of SiC single crystals / J. Korean Cryst. Growth Cryst. Technol 11 : 1 ~
강승민 / 2008 / Growth of AlN crystals by the sublimation process / 한국결정성장학회지 18 (2) : 68 ~ 71
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