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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.1
- 수록면
- 272 - 276 (5page)
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P-type thermoelectric material Si0.8Ge0.2 was sintered by Hot Press process (HP) and the effect of boron (0.25~2 at%) addition on the thermoelectric properties were reported. To enhance the thermoelectric performances, the Si0.8Ge0.2 alloys were fabricated by mechanical alloying (MA) and HP. The carrier of p-type SiGe alloy was controlled by B-doping. The effect of sintering condition and thermoelectric properties were investigated. B-doped SiGe alloys exhibited positive seebeck coefficient. The electrical conductivity and thermal conductivity were increased at the small amount of boron content (0.25~0.5 at%). However, they were decreased over 0.5 at% boron content. As a result, the small addition of boron improved the Z value. The Z value of 0.5 at% B doped Si0.8Ge0.2 alloy was 0.910-4/K, the highest value among the prepared alloys.
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/ 1960 / Applications of thermoelectricity : 155 ~
/ 1991 / Power generationtest by Si-Ge thermoelectric modules Proc. of the 10th Int. Conf. on Thermoelectric : 458 ~
/ 1991 / The Maxium possible conversion efficiency of silicon-germanium thermoelectric generator : 2694 ~
/ 1994 / CRC handbook of thermoelectrics : 401 ~
/ 1995 / CRC handbook of thermoelectrics : 329 ~
/ 1991 / Power generationtest by Si-Ge thermoelectric modules Proc. of the 10th Int. Conf. on Thermoelectric : 458 ~
/ 1991 / The Maxium possible conversion efficiency of silicon-germanium thermoelectric generator : 2694 ~
/ 1994 / CRC handbook of thermoelectrics : 401 ~
/ 1995 / CRC handbook of thermoelectrics : 329 ~
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