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논문 기본 정보

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저자정보
저널정보
사단법인 한국위성정보통신학회 한국위성정보통신학회논문지 한국위성정보통신학회논문지 제7권 제2호
발행연도
2012.1
수록면
18 - 24 (7page)

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본 논문에서는 ESD 방지를 위한 최적 방법론에 목표하여 확장된 드레인을 갖는 EDNMOS 소자의 더블 스냅백 현상 및 백그라운도핑 농도 (BDC)의 영향을 조사하였다. 고전류 영역에서 낮은 BDC를 가진 EDNMOS 소자는 강한 스냅백으로 인해 취약한 ESD 성능과 높은 래치업 위험을 가지게 되나, 높은 BDC를 가진 EDNMOS 소자는 스냅백을 효과적으로 방지할 수 있음을 알 수 있었다. 따라서 BDC 제어로 안정적인 ESD 방지 성능과 래치업 면역을 구현할 수 있음을 밝혔다.
#Electrostatic discharge #ESD) #Extended drain N-type MOSFET #EDNMOS) #Background doping concentration #BDC) #Transmission line pulse #TLP) #Double snapback #Latchup

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/ / DESSISTM Device Simulator, User's Manual / ISE Inc google schola / / TSUPREM4TM Process Simulator, User's Manual / Avanti Co google schola B. Keppens / 2004 / ESD protection solutions for high voltage technologies / Proc. EOS/ESD Symp : 289 ~ 298 google schola C. Duvvury / 1997 / Lateral DMOS design for ESD robustness / IEDM Tech. Dig : 375 ~ 378 google schola G. Bosselli / 1999 / Investigations on double diffused MOS (DMOS) transistorsunder ESD zap conditions / Proc. EOS/ESD Symp : 11 ~ 18 google schola

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