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In this paper, a CMOS integrated detection circuit for capacitive type fingerprint sensor signal processing is described. We designed a detection circuit of charge-sharing sensing scheme. The proposed detection circuit increases the voltage difference between a ridge and valley. The test chip is composed of 160 x 192 array sensing cells (12 by 12.7 mm2). The chip was fabricated on a 0.35m standard CMOS process. Measured difference voltage between a ridge and valley was 0.95V.
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D. Inglis et al / 1998. / A Robust 1.8 V 250 usW Direct-Contact 500 dpi Fingerprint Sensor : 284 ~ 285
H. Morimura,S. Shigematsu,and K. Machida / .2000 / A Novel Sensor Cell Architecture and Sensing CircuitScheme for Capacitive Fingerprin Sensors ieee j. of solid-state circuit
J. W. Lee,D. J. Min,J. Y. Kim,and W. C. Kim / 1999. / A 600-dpi Capacitive Fingerprint Sensor Chip and Image-Synthesis Technique IEEE J. of Solid-state Circuits (469475)
M. Tartagni / jan.1998. / A Fingerprint Sensor Based on the Feedback Capacitive Sensing Scheme 33 : 133 ~ 142
H. Morimura,S. Shigematsu,and K. Machida / .2000 / A Novel Sensor Cell Architecture and Sensing CircuitScheme for Capacitive Fingerprin Sensors ieee j. of solid-state circuit
J. W. Lee,D. J. Min,J. Y. Kim,and W. C. Kim / 1999. / A 600-dpi Capacitive Fingerprint Sensor Chip and Image-Synthesis Technique IEEE J. of Solid-state Circuits (469475)
M. Tartagni / jan.1998. / A Fingerprint Sensor Based on the Feedback Capacitive Sensing Scheme 33 : 133 ~ 142
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