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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국센서학회 센서학회지 센서학회지 제16권 제3호
발행연도
2007.1
수록면
229 - 233 (5page)

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The indium tin oxide (ITO) films were deposited on CR39 substrate using DC magnetron sputtering. The ITO thin films deposited at room temperature because CR39 substrate its glass-transition temperature is 130 oC. The ITO thin films used bottom and top electrode and for organic thin film transparent transistors (OTFTs). The ITO thin film electrodes electrical properties and optical transparency properties in the visible wavelength range (300 – 800 nm) strongly dependent on volume of oxygen percent. For the optimum resistivity and transparency of the ITO thin film electrode achieved with a 75 W plasma power, 10 % volume of oxygen and a 27 nm/min deposition rate. Above 85 % transparency in the visible wavelength range (300 – 800 nm) measured without post annealing process and a low resistivity value 9.83×10−4 Ωcm was measured thickness of 300 nm. All fabrication process of ITO thin films did not exceed 80 oC.

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