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2018
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Zinc oxide (ZnO) thin films have the advantages of growing at a low temperature and obtaining high charge mobility (carrier mobil- ity) [1]. Furthermore, the zinc oxide thin film can be used to control application resistance depending on its oxygen content. ZnO has the desired physical properties, a transparent nature, with a flexible display that makes it ideal for use as a thin-film transistor. Though these transparent flexible thin-film transistors can be manufactured in various manners, manufacturing large-area transistors using a solution process is easier owing to the low cost and flexible substrate. The advantage of being able to process at low temperatures has been attracting attention as a preferred method. However, in the case of a thin-film transistor fabricated through a solution process, it is reported that charge mobility is lower. To improve upon this, a method of improving the crystallinity through heat treatment and increas- ing electron mobility has been reported. However, as the heat treatment temperature is relatively high at 500°C, an application where a flexible substrate is absent would be more suitable.
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K. Song / 2010 / Flexible solution-deposited ZnO thin-film transistors / Adv. Mater. 22(38):4308~4312
A. R. Brown / 1997 / Field-effect Transistors made from solution-process organic semiconductors / Synth. Met. 88(1):37~55
C. R. Kagan / 1999 / Organic-inorganic hybrid materials as semiconducting channels in thin-film field-effect transistors / Science 286(5441):945~947
G. Adamopoulos / 2011 / High-mobility low-voltage ZnO and Li-doped ZnO transistors based on ZrO2 high-k dielectric grown by spray pyrolysis in ambient air / Adv. Mater. 23(16):1894~1898
S. Y. Park / 2013 / The structural, optical, and electrical characterization of highperformance, low- temperature and solution-processed alkali metal-doped ZnO TFTs / J. Mater. Chem. C 1(7):1383~1391
A. R. Brown / 1997 / Field-effect Transistors made from solution-process organic semiconductors / Synth. Met. 88(1):37~55
C. R. Kagan / 1999 / Organic-inorganic hybrid materials as semiconducting channels in thin-film field-effect transistors / Science 286(5441):945~947
G. Adamopoulos / 2011 / High-mobility low-voltage ZnO and Li-doped ZnO transistors based on ZrO2 high-k dielectric grown by spray pyrolysis in ambient air / Adv. Mater. 23(16):1894~1898
S. Y. Park / 2013 / The structural, optical, and electrical characterization of highperformance, low- temperature and solution-processed alkali metal-doped ZnO TFTs / J. Mater. Chem. C 1(7):1383~1391
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