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이 논문의 연구 히스토리 (3)
2019
Dynamic range Extension of CMOS Image Sensor Using Switching Operation with In-Pixel Inverter : 인-픽셀 인버터를 가진 스위칭 동작을 이용한 CMOS 이미지 센서의 동작 범위 확장
성동현
전자공학부
2019.01
학위논문
Extension of the Dynamic Range using the Switching Operation of In-Pixel Inverter in Complementary Metal Oxide Semiconductor Image Sensors
성동현
,
김상환
,
Ji Min Lee
외 3명
센서학회지
2019.01
학술저널
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In this paper, a wide dynamic range complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor with the adjustable sensitivity by using cascode metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) and inverter is proposed. The characteristics of theCMOS image sensor were analyzed through experimental results. The proposed active pixel sensor consists of eight transistors operatedunder various light intensity conditions. The cascode MOSFET is operated as the constant current source. The current generated fromthe cascode MOSFET varies with the light intensity. The proposed CMOS image sensor has wide dynamic range under the high illu- mination owing to logarithmic response to the light intensity. In the proposed active pixel sensor, a CMOS inverter is added. The role of the CMOS inverter is to determine either the conventional mode or the wide dynamic range mode. The cascode MOSFET let the current flow the current if the CMOS inverter is turned on. The number of pixels is 140 (H) × 180 (V) and the CMOS image sensor architecture is composed of a pixel array, multiplexer (MUX), shift registers, and biasing circuits. The sensor was fabricated using 0.35 µm 2-poly 4-metal CMOS standard process.
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M. Bigas / 2006 / Review of CMOS image sensors / Microelectron. J. 37(2):433~451
E. Fossum / 1997 / CMOS image sensors: Electronic camera on a chip / IEEE Trans. Electron Devices 44(10):1689~1698
J. Park / 2005 / A 142dB Dynamic Range CMOS Image Sensor with Multiple Exposure Time Signals / IEEE Asian Solid-State Circuits Conf. :85~88
J. Rhee / 2005 / Dual-mode wide dynamic range CMOS active pixel sensor / Electron. Lett. 41(24):1322~1323
N. Akahane / 2006 / A Sensitivity and Linearity Improvement of a 100-dB Dynamic Range CMOS Image Sensor Using a Lateral Overflow Integration Capacitor / IEEE J. Solid-State Circuits 41(4):851~858
E. Fossum / 1997 / CMOS image sensors: Electronic camera on a chip / IEEE Trans. Electron Devices 44(10):1689~1698
J. Park / 2005 / A 142dB Dynamic Range CMOS Image Sensor with Multiple Exposure Time Signals / IEEE Asian Solid-State Circuits Conf. :85~88
J. Rhee / 2005 / Dual-mode wide dynamic range CMOS active pixel sensor / Electron. Lett. 41(24):1322~1323
N. Akahane / 2006 / A Sensitivity and Linearity Improvement of a 100-dB Dynamic Range CMOS Image Sensor Using a Lateral Overflow Integration Capacitor / IEEE J. Solid-State Circuits 41(4):851~858
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