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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국센서학회 센서학회지 센서학회지 제20권 제2호
발행연도
2011.1
수록면
114 - 117 (4page)

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A thick 25 μm thickness poled P(VDF/TrFE) film pyroelectric infrared ray sensor has been fabricated and then thin 1.6 μm thickness P(VDF/TrFE) film pyroelectric infrared ray sensor has been fabricated also. These thick and thin P(VDF/TrFE) film pyroelectric infrared ray sensor was mounted in TO-5 housing to detect infrared light of 5.5 ~14 μm wavelength for human body detecting with each other. The noise output voltage of the thick P(VDF/TrFE) film pyroelectric infrared ray sensor were 380 mV and NEP(noise equivalent power) is 3.95 × 10^(-7) W which is the similar value with the commercial pyroelectric infrared ray sensor using ceramic materials as a sensing material. The NEP and specific detectivity D* of the thin P(VDF/TrFE) film pyroelectric infrared ray sensor were 2.13×10^(-8) W and 9.37 × 106 cm/W under emission energy of 13 μW/cm^2 respectively. These result caused by lower thermal diffusion coefficient of a thin 1.6 μm thickness PVDF/TrFE film than the thick 25 μm thickness poled P(VDF/TrFE) film pyroelectric infrared ray sensor.

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