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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제22권 제9호
발행연도
2009.1
수록면
717 - 723 (7page)

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Ni/Al ('/' denotes deposition sequence) contacts were deposited on Al-implanted 4H-SiC for ohmic contact formation, and the conduction properties were characterized and compared with those of Ni-only contacts. The thicknesses of the Ni and Al thin film were 30 nm and 300 nm, respectively, and the films were sequentially deposited by e-beam evaporation without vacuum breaking. Rapid thermal anneal (RTA) temperature was varied as follows : 840℃, 890℃, and 940℃. The specific contact resistivity of the Ni contact was about ~2 x 10-2 Ω·㎠. However, with the addition of Al overlayer, the specific contact resistivity decreased to about ∼2 x 10-4 Ω·㎠, almost irrespective of RTA temperature. X-ray diffraction (XRD) analysis of the Ni contact confirmed the existence of various Ni silicide phases, while the results of Ni/Al contact samples revealed that Al-contaning phases such as Al3Ni, Al3Ni2, Al4C3, and Al3.21Si0.47 were additionally formed as well as the Ni silicide phases. Energy dispersive spectroscopy (EDS) spectrum showed interfacial reaction zone mainly consisting of Al and Si at the contact interface, and it was also shown that considerable amounts of Si and C have diffused toward the surface. This indicates that contact resistance lowering of the Ni/Al contacts is related with the formation of the formation of interfacial reaction zone containing Al and Si. From these results, possible mechanisms of contact resistance lowering by the addition of Al were discussed.
#SiC #Ni/Al #Ohmic contact #XRD #EDS

목차

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참고문헌 (27)

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A. Hallen / 2004 / Advances in selective doping of SiC via ion implantation / Advances in silicon carbide processing and applications, Artech House, Inc google schola B. J. Johnson / 2004 / Mechanism of ohmic behavior of Al/Ti contacts to p-type 4H-SiC after annealing / J. Appl. Phys. 95 : 5616 ~ google schola B.J.Baliga / 2005 / Silicon carbide power devices / World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd : 16 ~ google schola D. K. Schroder / 1998 / Semiconductor material and device characterization(2nd edition) / John Wiley & Sons, Inc. : 154 ~ google schola F. La Via / 2002 / Structural and electrical characterization of titanium and nickel silicide contacts on silicon carbide / Microelectron. Eng. 60 : 269 ~ google schola

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