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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제22권 제9호
발행연도
2009.1
수록면
776 - 780 (5page)

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In this study, the opto-electric properties of EL devices with PMN dielectric layer with variation of firing tempereature were investigated. For the PMN dielectric layer process, the paste was prepared by optimization of quantitative mixing of PMN powder, BaTiO3, Glass Frit, α-Terpineol and ethyl cellulose. The EL device stack consists of Alumina substrate (Al2O3), metallic electrode (Au), insulating layer (manufactured PMN paste), phosphor layer (ELPP-030, ELK) and transparent electrode (ITO), which is well structure as a thick film EL device. The phase transformation properties of PMN dielectric with various firing temperatures of 150℃ to 850℃ was characterized by XRD. Also the opto-electric properties of EL devices with different firing temperature were investigated by LCR meter and spectrometer. We found the best opto-electric property was obtained at the condition of 550℃ firing which is 3432.96 cd/m2 at 1948.3 pF Capacitance, 40 kHz Frequency, 40% Duty, Vth+330 V voltage.

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