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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제22권 제10호
발행연도
2009.1
수록면
801 - 807 (7page)

이용수

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

2009

공정 및 공급전압 변화에 강인한 하프브리지 구동 IC의 설계
송기남 ,  김기현 ,  서길수 외 3명 전기전자재료학회논문지 2009.01 학술저널

2008

잡음 내성이 향상된 300W 공진형 하프-브리지 컨버터용 고전압 구동 IC 설계
송기남 ,  박현일 ,  이용안 외 4명 전자공학회논문지-SD 2008.10 학술저널
1㎛ BCD 650V 공정을 이용한 300W 하프-브리지 컨버터용 고전압 구동IC의 설계
송기남 ,  박현일 ,  이용안 외 4명 대한전자공학회 학술대회 2008.06 학술대회자료
1㎛ BCD 650V 공정을 이용한 300W 하프-브리지 컨버터용 고전압 구동IC의 설계
송기남 ,  박현일 ,  이용안 외 4명 대한전자공학회 학술대회 2008.06 학술대회자료

초록· 키워드

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In this paper, we propose a novel shoot-through protection circuit and pulse generator for half-bridge driver IC. We designed a robust half-bridge driver IC over a variation of processes and power supplies. The proposed circuit is composed a delay circuit using a beta-multiplier reference. The proposed circuit has a lower variation rate of dead time and pulse-width over variation of processes and supply voltages than the conventional circuit. Especially, the proposed circuit has more excellent pulse-width matching of set and reset signals than the conventional circuit. Also, the proposed pulse generator is prevented from fault operations using a logic gate. Dead time and pulse-width of the proposed circuit are typical 250 ns, respectively. The variation ratio is 68%(170 ns) of maximum over variation of processes and supply voltages. The proposed circuit is designed using 1 ㎛ 650 V BCD (Bipolar, CMOS, DMOS) process parameter, and the simulations are carried out using Spectre simulator of Cadence corporation.
#Half-bridge converter #Half-bridge driver IC #High voltage gate driver #Shoot-through

목차

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참고문헌 (8)

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A. Novelli / 2004 / New Generation of Half Bridge Gate Driver ICs for use with Low Power 3.3 V Control Applications / Power Electronic Conference IEEE : 3237 ~ google schola B. Murari / 2002 / Smart Power ICs / Springer : 361 ~ google schola Christophe P. Basso / 2008 / Switch-mode Power Supplies / McGraw-Hill : 93 ~ google schola Gheorghiu Ioan Virgil / 2007 / Pulse Translation Method from Low to High Voltage Level in Half and Full Bridge Application, US patent google schola J. T. Hwang / 2006 / Noise Immunity Enhanced 625 V High-side Driver / Solid-State Circuits Conference IEEE : 572 ~ google schola

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