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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제21권 제3호
발행연도
2008.1
수록면
203 - 207 (5page)

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Chemical mechanical polishing(CMP) allows the planarization of wafers with two or more materials. There are many elements such as slurry, polishing pad, process parameters and conditioning in CMP process. Especially, polishing pad is considered as one of the most important consumables because this affects its performances such as WIWNU(within wafer non-uniformity) and MRR(material removal rate). In polishing pad, grooves and pores on its surface affect distribution of slurry, flow and profile of MRR on wafer. A subject of this investigation is to apply CMP for planarization of shallow trench isolation structure using microstructure(MS) pad. MS pad is designed to have uniform structure on its surface and manufactured by micro-molding technology. And then STI CMP performances such as pattern selectivity, erosion and corner rounding are evaluated.
#MS pad #microstructure pad) #STI #shallow trench isolation) CMP #Pattern selectivity #Erosion #Corner rounding

목차

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참고문헌 (7)

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J.Y. Choi / 2004 / study on the manufacture of the next generation CMP pad with uniform shape using micro-molding method / Key Engineering Materials 257-258 : 413 ~ google schola K.Y. Chju / 1982 / A bird's beak free local oxidation technology feasible for VLSI circuits fabrication / IEEE Trans. Electron Devices ED-29 : 536 ~ google schola R. Tian / 2001 / Dummy Feature Placement for Chemical-mechanical Polishing Uniformity in a Shallow Trench Isolation Process / International Symposium on Physical Design Proc., Sono google schola S. Konstantin / 1997 / CMP dishing effects in shallow trench isolation / Solid State Technology 40 (7) : 1997 ~ google schola S.I. Chung / 2003 / Evaluation of micro-reflication technology using silicone rubber molds and its applications / International Journal of Machine Tools & Manufacture 43 google schola

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