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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제24권 제1호
발행연도
2011.1
수록면
7 - 11 (5page)

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화학적 습식식각 기술에 의해 Al2O3기판에 패턴을 형성한 후에 MOVPE(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy)를 사용하여 기판상에 GaN/InGaN 구조를 성장시켰다. 패턴된 Al2O3기판(PSS)상에서 성장된 GaN의 표면은 양질의 morphology와 uniformity를 보여주고 있다. 패턴된 Al2O3기판으로 제작한 LED는 기존의 방법으로 제작한 LED에 비해 광 출력이 50% 증가함을 보여준다. 이러한 광 출력의 증가는 Threading dislocation의 감소에 의한 내부 양자 효율의 증가와 광 추출 효율의 향상으로 비롯된 것으로 판단된다. PSS LED는 기존의 LED에 비해서도 더욱 균일한 광 분포 각도를 갖는다.
#Wet etching #Patterned sapphire substrate #Extraction efficiency #GaN surface #LED

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참고문헌 (15)

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B. Beaumont / 2001 / / Phys. Stat. Sol 227 : 1 ~ google schola Dong-Hun Kang / 2008 / Growth and Evaluation of GaN Grown on Patterned Sapphire Substrates / Journal of the Korean Physical Society 52 (6) : 1895 ~ 1899 google schola F. Dwikusuman / 2002 / / J. Electrochem. Soc 149 (11) : 603 ~ google schola H. S. Kim / 1995 / / J. Korean Chem. Soc 39 : 1 ~ google schola Ji-Myon Lee / 2000 / / Appl. Phys. Lett 87 : 7667 ~ google schola

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