습식식각 방법으로 제작한 패턴 형성 사파이어 기판을 가지는 GaN계 청색 LED

김도형; 이용곤; 유순재

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김도형 이용곤 유순재

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제24권 제1호

발행연도: 2011.1

수록면: 7 - 11 (5page)

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화학적 습식식각 기술에 의해 Al2O3기판에 패턴을 형성한 후에 MOVPE(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy)를 사용하여 기판상에 GaN/InGaN 구조를 성장시켰다. 패턴된 Al2O3기판(PSS)상에서 성장된 GaN의 표면은 양질의 morphology와 uniformity를 보여주고 있다. 패턴된 Al2O3기판으로 제작한 LED는 기존의 방법으로 제작한 LED에 비해 광 출력이 50% 증가함을 보여준다. 이러한 광 출력의 증가는 Threading dislocation의 감소에 의한 내부 양자 효율의 증가와 광 추출 효율의 향상으로 비롯된 것으로 판단된다. PSS LED는 기존의 LED에 비해서도 더욱 균일한 광 분포 각도를 갖는다.

#Wet etching #Patterned sapphire substrate #Extraction efficiency #GaN surface #LED

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