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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제24권 제1호
발행연도
2011.1
수록면
12 - 16 (5page)

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본 논문에서는 플라스틱 기판위에 폴리머 게이트 절연체를 사용하고, 은나노잉크를 이용하여 프린팅방법으로 소스드레인을 형성한 펜타센 기반의 유기박막트랜지스터를 제작하였다. PVP게이트 절연체의 가교결합 온도를 낮추기 위하여 자외선-오존 처리를 하였고, 그 결과 공정온도를 90도 까지 낮출수 있었다. 우리는 -OH기와 같은 trap states 와 grain boundary를 줄임으로써 유기박막트랜지스터의 특성을 향상시키기 위해서, 게이트 절연체와 반도체 사이의 계면에 산소플라즈마, HMDS, OTS와 같은 다양한 계면처리를 하였다. 최적화된 유기박막트랜지스터의 소자특성은 0.63 ㎠ V^(−1)s^(−1)의 전계이동도, 1.7 x 10^(-6)의 온/오프 전류비율, 0.75 V의 sub-threshold slop을 나타내었다.

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