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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.1
- 수록면
- 923 - 929 (7page)
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Single crystalline ZnO films were successfully grown on R-plane sapphire substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Epitaxial relationship between the ZnO film and the R-plane sapphire was determined to be [-1101]Al2O3∥[0001]ZnO, [11-20]Al2O3∥[-1100]ZnO based on the in-situ reflection high-energy electron diffraction analysis and confirmed again by high-resolution X-ray diffraction measurements. Grown (11-20) ZnO films surface showed mound-like morphology along the <0001>ZnO direction and the RMS roughness was about 4 nm for 2 μm×2 μm area.
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/ 1992. / Epitaxial growth of TiN films on silicon substrates by laser physical vapor deposition 61 : 1290 ~
/ 1996. / Excitonic nonlinearities in wide gap II-VI multiple quantum wells 159 (1) : 793 ~
/ 1997. / Spontaneous polarization and piezoelectricconstants of III-V nitrides 56 (16) : 10024 ~
/ 1998. / Defects and interfaces in epitaxial ZnO/a-Al2O3 and AlN/ZnO/ a-Al2O3 heterostructures 84 (5) : 2597 ~
/ 1998. / Macro- scopic polarization and band offsets at nitride heterojunctions 57 (16) : 9427 ~
/ 1996. / Excitonic nonlinearities in wide gap II-VI multiple quantum wells 159 (1) : 793 ~
/ 1997. / Spontaneous polarization and piezoelectricconstants of III-V nitrides 56 (16) : 10024 ~
/ 1998. / Defects and interfaces in epitaxial ZnO/a-Al2O3 and AlN/ZnO/ a-Al2O3 heterostructures 84 (5) : 2597 ~
/ 1998. / Macro- scopic polarization and band offsets at nitride heterojunctions 57 (16) : 9427 ~
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