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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제25권 제3호
발행연도
2012.1
수록면
170 - 175 (6page)

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Power MOSFET은 전력 절감, 고효율, 소형, 고신뢰성, 고속 스위칭, 저노이즈 등을 배경으로 발전하였다. Power MOSFET는 고속 스위칭 트랜지스터 소자의 대용으로 사용할 수 있어서 최근에 주목이 되고 있으며 각종 전동기에의 적용 기술의 개발이 급속히 진보되고 있다. Power MOSFET은 전압 구동 방식으로 동작하는 소자이며, 큰 전력을 처리하기 위해 설계된 스위칭 디바이스이며 전원 공급 장치, 변환기, 모터 제어기 등에 널리 사용 된다. 본 논문에서는 600 V Planar타입과 낮은 온 저항을 구현하기 위해 Trench타입을 설계하였다. 두 가지의 구조에 대하여 시뮬레이션 하고 특성 결과를 비교 분석하여 고내압 저전력에 최적화된 Power MOSFET 소자 설계를 하였다.
#Power MOSFET #Planar #Trench #Vth #BV #Ron #JFET dose #Pbase dose

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참고문헌 (6)

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B. J. Baliga / 1996 / Power Semiconductor Devices / PWS Publishing Company google schola H. S. Lee / 2006 / / KIEE 7 google schola N. Keskar / 1999 / Device Reliability and Robust Power Converter Evelopment / Microelectron : 1121 ~ google schola 강이구 / 2002 / 인텔리전트 파워 IC의 구현을 위한 횡형 트렌치 전극형 IGBT의 제작 및 그 전기적 특성에 관한 연구 / 전기전자재료학회논문지 15 (9) : 0 ~ 0 google schola 경신수 / 2009 / 고전압 전력소자를 보호하기 위한 Sense FET 설계방법 / 전기전자재료학회논문지 22 (1) : 12 ~ 16 google schola

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