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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제25권 제5호
발행연도
2012.1
수록면
329 - 333 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2012

Sb 광도핑에 의한 Ge1Se1Te2 박막의 상변화 메모리 특성
남기현 ,  정홍배 ,  김장한 전기전자재료학회논문지 2012.01 학술저널

2011

Ag 도핑된 Sbx(Ge-Se-Te)100-x 박막의 개선된 상변화 특성
남기현 ,  김장한 ,  정홍배 한국진공학회 학술발표회초록집 2011.02 학술대회자료

초록· 키워드

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상변화 메모리에 있어서 좋은 기록성과 낮은 열 손실, 빠른 결정화 특성과 retention 시간 등이 요구된다. 우리는 지난 연구를 통해 일반적으로 쓰이는 Sb을 대신하여 광에 민감한 Se를 첨가한 Ge1Se1Te2 매질을 이용하였다. Sb/Ge-Se-Te 박막은 Ge1Se1Te2 박막에 UV에 의한 Sb 광도핑을 하여 제작하였다. Sb를 도핑시킴으로써 보다 나은 스위칭 특성을 확인할 수 있었고, 보다 우수한 상변화 메모리로의 가능성을 확인하였다.
#Chalcogenide #Ge1Se1Te2 #PCRAM #Phase-change memory

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참고문헌 (19)

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A. Hamada / 1971 / / Jpn. J. Appl. Phys 1 : 530 ~ google schola B. J. Madhu / 2009 / / J. Non-Cry. Sol 355 : 2630 ~ google schola B. Liu / 2005 / / Microelectron. Eng 82 : 168 ~ google schola D. Lencer / 2008 / / Nat. Mater 7 : 972 ~ google schola E. B. Lee / 2009 / / Microelectron. Eng 86 : 1950 ~ google schola

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