Programmable Metallization Cell 제작을 위한 Ag-doped Germanium Selenide의 고체전해질 특성

남기현; 정홍배

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자료유형: 학술저널

저자정보: 남기현 정홍배

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제22권 제5호

발행연도: 2009.1

수록면: 382 - 385 (4page)

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In this study, we studied switching characteristics of germanium selenide(Ge-Se)/silver(Ag) contact formed by photodoping for use in programmable metallization cell devices. We have been investigated the switching characteristics of Ag-doped chalcogenide thin films. Changed resistance range by direction of applied voltage is about 1 MΩ ~ hundreds of Ω. The cause of these resistance change can be thought the same phenomenon such as resistance variation of PMC-RAM. The results imply that the separated Ag-ions react the atoms or defects in chalcogenide thin films.

#ReRAM #PMC #Solid electrolyte #Chalcogenide #Super-ionic region

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H. Choi / 2007 / Characteristic improvement of Ge1Se1Te2 phase change memory by the heating method and the device structure change / Microelectronic Engineering 84 : 1606 ~

M. Mitkova / 2002 / Silver incorporation in Ge-Se glasses used in programmable metallization cell devices / Journal of Non-Crystalline Solids 299 : 1023 ~

M. N. Kozicki / 2005 / Programmable Metalization Cell Memory Based on Ag-Ge-S and Cu-Ge-S Solid Electrolytes / Non- Volatile Memory Technology Symposuim : 83 ~

R. Neale / 2001 / Ammorphous Nonvolatile Memory:the Pase and the Future / Electronic Engineering : 67 ~

R. Symanczyk / 2003 / Electrical Characterization of Solid State Ionic Memory Elements / Non- volatile Memory Technical Symposuim, San Diego, CA, November : 71 ~

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