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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 562 - 568 (7page)
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In this paper, the hole injection layer(HIL) materials have been synthesized and analyzed. Their HOMO levels are 4.93～5.22 eV, and their energy band gaps are 2.74～3.19 eV. Their glass transition temperatures(Tg) are all above 114 ℃, which implies that they are highly thermal-stable. The green OLED devices with a structure of ITO(150 ㎚)/NEW_HIL(50 ㎚)/NPB(30 ㎚)/Alq3(50 ㎚)/Al:Li(100 ㎚) were fabricated and tested, incorporating these newly synthesized HIL materials. According to the test results of OLED devices, the I-V-L performances of these devices increase in the following sequence: ELM307 > ELM200 > ELM321 > ELM327 > ELM325. In addition, the OLED device with ELM307 as a HIL has the highest brightness and efficiency at the same driving voltage. These experimental results have shown that ELM307 can be used as one of the most promising candidates for HIL materials.
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C. Adachi / 1995 / Molecular design of hole transport materials for obtaining high durability in organic electroluminescent diodes / Appl. Phys. Lett 66 : 2679 ~
C. Hosokawa / 1993 / Novel structure of organic electro- luminescence cells with conjugated oligomers / Appl. Phys. Lett 62 : 3238 ~
C.N. Li / 2005 / Indium tin oxide surface treatments for improvement of organic light-emitting diode performance / Appl. Phys. A 80 : 301 ~
C.W. Tang / 1987 / Organic electroluminescent diodes / Appl. Phys. Lett 51 : 913 ~
C.W. Tang / 1989 / Electroluminescence of doped organic thin films / J. Appl. Phys 65 : 3610 ~
C. Hosokawa / 1993 / Novel structure of organic electro- luminescence cells with conjugated oligomers / Appl. Phys. Lett 62 : 3238 ~
C.N. Li / 2005 / Indium tin oxide surface treatments for improvement of organic light-emitting diode performance / Appl. Phys. A 80 : 301 ~
C.W. Tang / 1987 / Organic electroluminescent diodes / Appl. Phys. Lett 51 : 913 ~
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