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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제22권 제6호
발행연도
2009.1
수록면
512 - 515 (4page)

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We have fabricated blue phosphorescent organic light emitting diodes (PHOLEDs) using a 3,5´-N,N´-dicarbazole-benzene (mCP) host and iridium (III) bis[(4,6-difluorophenyl)-pyridinato-N,C2´] picolinate (FIrpic) guest materials. The FIrpic was partially doped into the mCP host layer, for investigating recombination zone, current efficiency, and emission characteristics of the blue PHOLEDs. The recombination of electrons and holes takes place inside the mCP layer adjacent to the mCP/hole blocking layer interface. The best current efficiency was obtained in a device with an emission layer structure of mCP (10 nm)/mCP:FIrpic (20 nm, 10 %). The high current efficiency in this device was attributed to the confinement of FIrpic triplet excitons by the undoped mCP layer with high triplet energy, which blocks diffusion of FIrpic excitons to the adjacent hole transport layer with a lower triplet energy.

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