Cs3Sb photocathode was formed by newly developed process and successive in-situ lightingdevices were fabricated in a process chamber. R, G, and B phosphors were applied on the anode plate,respectively. Major parameters such as brightness, power consumption, and efficacy were measured. Thewavelength of LED excitation source was 450 nm. Both high power and low power modes were appliedin the measurement. Measurement values were clearly differentiated by the voltage application modes.
The measured values of each parameter was good enough to be applied for general lighting source. Theresults showed that Cs3Sb photocathode formed in atmospheric conditions was functioning as good as thephotocathode formed in UHV conditions, and thus it could be applied to advanced lighting devices.
Cs3Sb 포토캐소드를 새로운 방식인 진공이 아닌 불활성 기체 분위기 상태에서 제작하였다. 전자방출을 유발하는 광원으로 일반적인 UV광이 아닌 가시광 영역의 빛을 사용하였다. 제작된 포토캐소드가 고지농에서 제작된 포토캐소드와 마찬가지로 민감하게 반응하였으며 우수한 전자방출 특성을 보였다. 결론적으로 상압 분위기 하에서도 성능이 저하되지 않는 양질의 포토캐소드를 제작할 수 있다는 점이다. 상압 분위기 하의 공정조건과 적절한 가시광 영역의 광원 선택으로 포토캐소드의 우수한 전자방출 특성을 이용하여 전자원, 광원 등의 일반적인 전자소자로 응용분야를 확대할 수 있음을 보였다.