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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.1
- 수록면
- 56 - 63 (8page)
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RF 마그네트론 스퍼터링법을 사용하여 IGZO박막을 증착하였으며, 순수한 ZnO분말에 Ga2O3분말 및 In2O3분말을 각각 3 wt%와 2 wt%로 첨가하여 타겟을 제작하였다. 증착된 IGZO박막은 X-선 회절 패턴의 분석 결과로 증착 조건에 관계없이 (002)면으로의 수직 성장하였으며 c-축 배향성을 보였다. RF 출력과 기판 온도가 상승함에 따라 X-선 회절 피크의 강도가 증가하였으며 분위기압의 증가에는 오히려 감소하였다. IGZO박막의 Hall 효과 측정 결과 RF 출력이 200 W, 분위기압은 1 mTorr, 기판 온도가 300℃, 막의 두께가 3,000 Å일 때 캐리어 밀도가 2.6×1020 cm3, 캐리어 이동도는 28.5 cm2/V·sec였으며, 비저항이 8.8×10-4 Ω·cm로 가장 낮게 나타났다. 광투과도 측정결과 증착 조건에 관계없이 가시광 영역에서 80% 이상의 광투과도를 나타냈으며 특히 500 nm 이상에서는 90% 이상의 광투과도를 나타내었다. 캐리어밀도가 증가함에 따라 광 흡수단은 단파장쪽으로 이동하였으며, 광학적 밴드갭은 확장되었다. RF 출력이 200 W, 분위기압은 1 mTorr, 기판온도가 300℃, 막의 두께가 3,000 Å일 때 가시광 영역에서 85% 이상의 광 투과도를 나타내었다. 또한 3.38 eV의 광학적 밴드갭을 나타내었다. Ga과 In의 첨가량을 변화시키는 향후의 연구를 통하여 투명도전막으로의 응용이 기대된다.
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