메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제28권 제6호
발행연도
2015.1
수록면
371 - 374 (4page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색

초록· 키워드

오류제보하기
제안한 고성능 Lateral SBR은 우수한 순방향 전압 강하 특성(VF=0.38 V@IF=35 mA)과 낮은 역방향 누설전류 특성, 그리고 고온 동작 안정성(3.25 uA@T_j=150℃)을 확보가 가능하며 기존 BCD Platform에서 제공하는 PN junction 다이오드와 쇼트키다이오드의 단점을 극복 가능하였다. 나아가 BCD Platform에서 제공하는 Lateral 형태의 소자와 함께 집적화가 가능하여 고성능 IC설계에 대한 자유도를 높일 수 있다.

목차

등록된 정보가 없습니다.

참고문헌 (12)

참고문헌 신청

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0