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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제27권 제1호
발행연도
2014.1
수록면
8 - 13 (6page)

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집적회로의 집적도가 증가함에 따라 다층금속화 공정은 널리 사용되어 지고 있다. 현재 이러한 배선기술 중 배선재료로서의 알루미늄의 사용한계는 Electromigration 등의 단점을 줄이기 위하여 합금 알루미늄과 장벽 금속박막을 사용할 경우, 선폭이 1㎛ 정도로 보고 있으며, 알루미늄의 Electromigration 현상으로 현재는 Cu 공정을 통해 진행되어 지고 있으나 Cu 재료만으로 공정을 진행하기에는 Cu 막의 특성상 빠른 산화현상으로 다시, 주 배선재료로서 변화 될 수 있을 것으로 판단된다. 그러나 알루미늄은 실리콘과의 열팽창계수 차이가 커서 합금처리 후 힐록 발생으로 인한, 절연막의 유전파괴, 포토 공정 결합 등은 소자의 신뢰성에 많은 영향을 끼친다. 본 논문에서는 Al-1%Si 재료를 반도체 소자의 배선 재료로 사용할 경우 힐록에 의한 공정결합률을 줄이고자, Al의 스퍼터링 증착시 기판의 온도변화와 금속박막에 이온 주입을 한 후, 합금 열처리 시 생성되는 힐록 양상을 각 조건에 따라 비교 검토하였다. 박막의 패턴을 확인하기 위해 SEM을 사용하였고, 표면의 상태를 알아보고자 Surface Profile을 사용하였으며, 저항 값을 측정하기 위해 4-Point Probe를 이용하였다.
#Al-1%Si #Hillock #DC sputtered #Metallization

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