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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제22권 제12호
발행연도
2009.1
수록면
1,028 - 1,032 (5page)

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In this study, the influences of silicon-based gas barrier films fabricated by using a facing target sputtering(FTS) system on the gas permeability for flexible displays have been investigated. Under these optimum conditions on the SiOx film with oxygen concentration(O2/Ar+O2) of 3.3% and the SiOxNy film with nitrogen concentration(N2/Ar+O2+N2) of 30% deposited by the FTS system, it was found that the films were grown about 4 times higher deposition rate than that of the conventional sputtering system and showed high transmittance about 85% in the visible light range. Particularly, the polyethylene naphthalate(PEN) substrates with the SiOx and/or SiOxNy films showed the enhanced properties of decreased water vapor transmission rate(WVTR) over 10-1 g/㎡․day compared with the PEN substrate without any gas barrier films, which was due to high packing density in the Si-based films with high plasma density by FTS process and/or the denser chemical structure of Si-N bond in the SiOxNy film.

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