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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제24권 제12호
발행연도
2011.1
수록면
939 - 943 (5page)

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이 논문에서는 하프늄을 기반으로한 Al₂O₃-HfO₂-Al₂O₃ (AHA) 와 SiO₂-HfO₂-SiO₂ (SHS)의 샌드위치 구조 MIM 캐패시터의 DC, AC 전압 스트레스에 따른 신뢰성을 분석하였다. 두 MIM 캐패시터 모두 높은 정전용량 밀도(8.1 fF/μm2 and 5.2 fF/μm2)를 가지고 낮은 누설전류 밀도를 가진다. 유전체 내의 charge trapping효과에 의해 정전용량은 증가하고 생성된 trap에 의해 캐리어의 이동도는 감소하게 된다. DC 전압 스트레스를 인가하는 경우가 AC 전압스트레스를 인가하는 경우에 비해 정전용량(ΔC/C0)과 전압안정성(α/α0)의 큰 변화를 나타낸다.
#High-k #Al₂O₃-HfO₂-Al₂O₃ #SiO₂-HfO₂-SiO₂ #AC stress #Charge trapping

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C. T. Black / 2004 / / IEEE Electron Device Lett 25 : 622 ~ google schola H. Hu / 2002 / / IEEE Electron Device Lett 23 : 514 ~ google schola H. Hu / 2003 / / J. Appl. Phys 94 : 551 ~ google schola H. M. Kwon / 2011 / / Jpn. J. Appl. Phys 50 : 04DD02 ~ 04DD01 google schola K. C. Chinag / 2007 / / IEEE Electron Device Lett 28 : 694 ~ google schola

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