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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제8권 제2호
- 발행연도
- 2007.1
- 수록면
- 89 - 92 (4page)
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CuInSe2 thin film were prepared in order to clarify optimum conditions for growth of the thin film depending upon process, and then by changing a number of deposition conditions and heat treatment conditions variously, structural and electrical characteristics were measured. Thereby, optimum process variables were derived. For the manufacture of the CuInSe2, Cu, In and Se were deposited in the named order. Among them, Cu and In were deposited by using the sputtering method in consideration of their adhesive force to the substrate, and the DC/RF power was controlled so that the composition of Cu and In might be 1:1, while the annealing temperature having an effect on the quality of the thin film was changed from 200 ℃ to 350 ℃ at intervals of 50 ℃.
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/ 1989. / Characterization of copper indium diselenide thin films by raman scattering spectroscopy for solar cell applications Japanese Journal of Applied Physics 28 : 1337 ~
/ 1995. / Solid-liquid reaction mechanisms in the formation of high quality CuInSe2 by the stacked elemental layer (SEL) technique 37 : 203 ~
/ 1995. / Studies of the growth mechanism of polycrystalline CuInSe2 thin films prepared by a sequential process 146 : 233 ~
/ 1999. / Prog. In Photovoltaics : 35 ~
/ 1999. / ″Development and Manufacturing of CIS Thin Film Solar Modules″ : 627 ~
/ 1995. / Solid-liquid reaction mechanisms in the formation of high quality CuInSe2 by the stacked elemental layer (SEL) technique 37 : 203 ~
/ 1995. / Studies of the growth mechanism of polycrystalline CuInSe2 thin films prepared by a sequential process 146 : 233 ~
/ 1999. / Prog. In Photovoltaics : 35 ~
/ 1999. / ″Development and Manufacturing of CIS Thin Film Solar Modules″ : 627 ~
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