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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제5권 제1호
발행연도
2004.1
수록면
34 - 37 (4page)

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Amorphous chalcogenide thin films, especially a-(Se, S) based films, exhibit a number of photo-induced phenomena. In this study, we make the As40Ge10Se15S35/Ag thin film and then we measure the holographic diffraction efficiency according to thickness of Ag. And we form the two-dimensional holographic grating. At first, we formed one-dimensional grating and then we form two-dimensional grating by rotate the sample. We found out the most suitable thickness of Ag and in case of As40Ge10Se15S35/Ag(600Å), the diffraction efficiency was more higher than other samples. The holographic grating was formed by He-Ne laser(λ=632.8nm). The intensity of incident beam was 2.5mW and incident angle was 20°. We confirm the two-dimensional holographic grating by the pattern of diffracted beam and AFM(Atomic Force Microscope) image. We perform the etching process using by 0.26N NaOH in order to confirm clearly two-dimensional grating.
#As40Ge10Se15S35/Ag #Holographic grating #Diffraction efficiency #Etching process

목차

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참고문헌 (8)

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/ 1978. / Diffraction efficiency of continuously etched grating in As2S3 films 24 : 220 ~ google schola / 1995. / Photonic Crystals google schola / 1998. / Mechanism andkinetics of photoinduced anisotropy in chalcogenide glasses 227 (230) : 688 ~ google schola / 1998. / Photo-induced transformation in amorphous Se75Ge25 thin films by XeCl excimer laser exposure 83 (10) : 5381 ~ google schola / 1999. / The measurement on diffraction efficiency in polarization holography using amorphous chalcogenide thin films 12 (12) : 1192 ~ google schola

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