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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제14권 제1호
발행연도
2013.1
수록면
12 - 15 (4page)

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In this study, we carried out an investigation of the etching characteristics (etch rate, and selectivity to SiO2) of ZrO2thin films in a CF4/Ar inductively coupled plasma (ICP) system. The maximum etch rate of 60.8 nm/min for ZrO2thin films was obtained at a 20 % CF4/(CF4+Ar) gas mixing ratio. At the same time, the etch rate was measured as a function of the etching parameter, namely ICP chamber pressure. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis showed efficient destruction of the oxide bonds by the ion bombardment, as well as an accumulation of low volatile reaction products on the etched surface. Based on these data, the ion-assisted chemical reaction was proposed as the main etch characteristics for the CF4-containing plasmas.
#Etching #ZrO2 #XPS #ICP #CF4

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A. M. Efremov / 2004 / / J. Vac. Sci. Technol. A 22 : 2101 ~ google schola A. M. Efremov / 2004 / / J. Vac. Sci. Technol. B 75 : 133 ~ google schola C. F. Yen / 2011 / / J. Electrochem. Soc 158 (2) : 43 ~ google schola C. I. Lee / 2009 / / Ferroelectr ics 384 (1) : 3 ~ 2 google schola G. D. Wilk / 2001 / / J. Appl Phys 89 : 5243 ~ google schola

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