Negative-bias Temperature Instability 및 Hot-carrier Injection을 통한 중수소 주입된 게이트 산화막의 신뢰성 분석

이재성

추천

검색

자료유형: 학술저널

저자정보: 이재성

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제21권 제8호

발행연도: 2008.1

수록면: 687 - 694 (8page)

이용수

📌

연구주제

📖

연구배경

🔬

연구방법

🏆

연구결과

초록· 키워드

오류제보하기

This paper is focused on the improvement of MOS device reliability related to deuterium process. The injection of deuterium into the gate oxide film was achieved through two kind of method, high-pressure annealing and low-energy implantation at the back-end of line, for the purpose of the passivation of dangling bonds at SiO₂/Si interface. Experimental results are presented for the degradation of 3-nm-thick gate oxide (SiO₂) under both negative-bias temperature instability (NBTI) and hot-carrier injection (HCI) stresses using P and NMOSFETs. Annealing process was rather difficult to control the concentration of deuterium. Because when the concentration of deuterium is redundant in gate oxide excess traps are generated and degrades the performance, we found annealing process did not show the improved characteristics in device reliability, compared to conventional process. However, deuterium ion implantation at the back-end process was effective method for the fabrication of the deuterated gate oxide. Device parameter variations under the electrical stresses depend on the deuterium concentration and are improved by low-energy deuterium implantation, compared to conventional process. Our result suggests the novel method to incorporate deuterium in the MOS structure for the reliability.

#Deuterium #Ion implantation #Reliability #Gate dielectric #Defect

참고문헌 (8)

참고문헌 신청

J. Wu / 2000 / Anode hole injection versus hydrogen release: The mechanism for gate oxide breakdown / IEEE Int. Reliability Physics Symp. : 27 ~

J.W. Lyding / 1996 / Reduction of hot electron degradation in MOS transistors by deuterium processing / Appl. Phys. Lett 68 : 2526 ~

Jae-Sung Lee / 2004 / Generation of Oxide Fixed Charge in Thin Gate Oxide incorporated with Hydrogen/Deuterium during Negative-Bias Temperature Instability (NBTI) Stress / Jo

K. Hess / 1998 / Giant isotope effect in hot electron degradation of metal oxide silicon devices / IEEE Trans. Electron Devices 45 : 406 ~

M.H. Lee / 2001 / Novel methods to incorporate deuterium in the MOS structures / IEEE Electron Device 22 : 519 ~

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

이재성

소속기관 한국전기전자재료학회

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 1 이용수 6

최근 본 자료

전체보기

구분	그룹	데이터 항목
AI 학습용 데이터	원문	원문 PDF 파일
AI 학습용 데이터	원문 + 메타 (기본/상세)	원문 PDF 파일 및 서지정보 CSV
대량 구매용 데이터	B2B 구독 방식	특정 자료 한정으로 원문 접근 권한 부여
대량 구매용 데이터	URL 전달 방식	바로 PDF 뷰어를 열람할 수 있는 URL 제공

구분	그룹	데이터 항목
AI 학습용 데이터	기본 메타	발행기관명, 간행물명, 권호명, 권(vol), 호(issue), 통권, 발행연도, 발행월, 논문명, 저자명, 시작페이지, 종료페이지, 전체페이지, 상세페이지URL
상세 메타 데이터	발행기관 메타	발행기관 이명, 영문명, 창립연도, 홈페이지URL, 발행기관 소개
	간행물 메타	부제목, 간행물 유형, ISSN, ISBN, 최초발행연도, 폐간연도, 간행빈도, 발행주기, 등재사항, 이용수, 피인용수, 권호수, 논문수, 표지이미지
	논문 메타	작성 언어, 부제목, 대등제목, 목차, 키워드, 초록, 이미지, 참고문헌, 이용수, 피인용수, 논문활용도, DBpia통합주제분류, KDC분류, DDC분류, 한국연구재단분류, UCI, DOI
	저자 메타	소속기관, 소속부서, 직급, 연구분야, 연구키워드, 이용수, 피인용수, 저자 논문활용도

구분	그룹	데이터 항목
※ 결합형/맞춤형 메타 데이터는 신청 내용에 따라 다양하게 제공 가능
이용순위 정보	주제분야별 많이 이용된 논문	“인문학”에서 많이 이용된 논문 TOP100
	이용기관별 많이 이용된 논문	“중고등학교”에서 많이 이용된 논문 TOP100
	세부기관별 많이 이용된 논문	“서울대학교”에서 많이 이용된 논문 TOP100
	키워드별 많이 이용된 논문	“Chat GPT”에서 많이 이용된 논문 TOP100
키워드 정보	많이 이용된 키워드	특정기간/분야/저널 내 많이 이용된 키워드
	많이 발행된 키워드	특정기간/분야/저널 내 많이 발행된 키워드
	많이 검색된 키워드	특정기간/분야/저널 내 많이 검색된 키워드
	연구 트렌드 키워드	특정 키워드 연관 연구동향 분석 데이터 키워드

논문 기본 정보

초록· 키워드

AI 요약

연구주제

연구배경

연구방법

연구결과

주요내용

목차

참고문헌 (8)

함께 읽어보면 좋을 논문

이 논문의 저자 정보

최근 본 자료

댓글(0)